IXYS艾賽斯二極管108370MDD255-18N1系列技術(shù)資料

IXYS艾賽斯二極管108370MDD255-18N1優(yōu)質(zhì)優(yōu)價

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IXYS艾賽斯二極管的原理：

二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個二極管。

晶體二極管為一個由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當(dāng)不存在外加電壓時，由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 

當(dāng)外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進(jìn)一步加強(qiáng)，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流。 

當(dāng)外加的反向電壓高到一定程度時，PN結(jié)空間電荷層中的電場強(qiáng)度達(dá)到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現(xiàn)象。PN結(jié)的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。

P型半導(dǎo)體是在本征半導(dǎo)體（一種純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體）摻入少量三價元素雜質(zhì)，如硼等。

因硼原子只有三個價電子，它與周圍的硅原子形成共價鍵，因缺少一個電子，在晶體中便產(chǎn)生一個空位，當(dāng)相鄰共價鍵上的電子獲得能量時就有可能填補(bǔ)這個空位，使硼原子成了不能移動的負(fù)離子，而原來的硅原子的共價鍵則因缺少一個電子，形成了空穴，但整個半導(dǎo)體仍呈中性。這種P型半導(dǎo)體中以空穴導(dǎo)電為主，空穴為多數(shù)載流子，自由電子為少數(shù)載流子。 

N型半導(dǎo)體形成的原理和P型原理相似。在本征半導(dǎo)體中摻入五價原子，如磷等。摻入后，它與硅原子形成共價鍵，產(chǎn)生了自由電子。在N型半導(dǎo)體中，電子為多數(shù)載流子，空穴為少數(shù)載流子。 

因此，在本征半導(dǎo)體的兩個不同區(qū)域摻入三價和五價雜質(zhì)元素，便形成了P型區(qū)和N型區(qū)，根據(jù)N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體的特性，可知在它們的交界處就出現(xiàn)了電子和空穴的濃度差異，電子和空穴都要從濃度高的區(qū)域向濃度低的區(qū)域擴(kuò)散，它們的擴(kuò)散使原來交界處的電中性被破壞。

IXYS艾賽斯二極管的特點(diǎn)：

在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極小；當(dāng)電壓超過0.6V時，電流開始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱此為二極管的開啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時，二極管處于導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號UD表示 。

對于鍺二極管，開啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。當(dāng)反向電壓超過某個值時，電流開始急劇增大，稱之為反向擊穿，稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

外加正向電壓時，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱為死區(qū)。這個不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱為死區(qū)電壓。

當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場被克服，二極管正向?qū)ǎ娏麟S電壓增大而迅速上升。在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時二極管的端電壓幾乎維持不變，這個電壓稱為二極管的正向電壓。 

當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過一定數(shù)值 ，內(nèi)電場很快被削弱，特性電流迅速增長，二極管正向?qū)ā?叫做門坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。 

外加反向電壓不超過一定范圍時，通過二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動所形成反向電流。由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。

一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級，小功率鍺管在μA數(shù)量級。溫度升高時，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。

外加反向電壓超過某一數(shù)值時，反向電流會突然增大，這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦浴Ｈ绻O管沒有因電擊穿而引起過熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞黄茐模诔烦饧与妷汉螅湫阅苋钥苫謴?fù)，否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。 

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

另一種擊穿為雪崩擊穿。當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對。新產(chǎn)生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)性損壞。

反向電流是指二極管在常溫（25℃）和最高反向電壓作用下，流過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時反向電流若為250μA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500μA，依此類推，在75℃時，它的反向電流已達(dá)8mA，不僅失去了單方向?qū)щ娞匦裕€會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時反向電流僅為5μA，溫度升高到75℃時，反向電流也不過160μA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。

二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。 

電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時的穩(wěn)定電壓的相對變化量。 

最高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢壘電容組成。所以最高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?/span>

最大整流電流是指二極管長期連續(xù)工作時，允許通過的最大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。因為電流通過管子時會使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過容許限度（硅管為141℃左右，鍺管為90℃左右）時，就會使管芯過熱而損壞。所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過二極管最大整流電流值

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仙童Fairchild，阿斯卡Asco電磁閥，倍加福P+F，MOOG伺服閥，

寶德Burkert，巴魯夫Balluff，皮爾茲Pilz，寶盟Baumer，

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美國Flowserve福斯閥門定位器520MD

DESMI齒輪泵GP51EFM-1U2B2   

三和電容器TAF-T115400S06R

三和電容器TAF-T1154005S06R  

邁確ST5484E-151-0000-0 輸出4-50mA DC24V   

AVTRON型號:4S1HX51ZTZ00   

海德漢IK220 ID337481-01

GF流量傳感器P51530-P0

GF流量變送器3-9900-1P

GF靜壓式液位計3-2250-11L

Honeywell調(diào)節(jié)閥V5011B3W040

寶德BURKERT電磁閥183131   

寶德BURKERT電磁閥333247

濾芯0250 DN50 W/HC 

TN2531 

EDS 3446-2-0100-000    

072-1203-10  

Tiefenbach電控截止閥501859  

比例閥SAMSON 6126-0221150100000.00

330180-51-CN 

330180-91-CN

330103-00-05-10-02-CN

330130-045-00-CN

330130-080-12-00  

6EP3337-8SB00-0AYO   

WSM12120W-01M-C-N-24DG 

WSM12120W-01M-C-N-24DG 

J761-003 現(xiàn)升級為G761-3033B  

氧氣傳感器 ENVITEC OOA101 

METRIX振動變送器ST5484E-151-0400-00  

ST5484E-151-04B4-00  

MX2030-04-000-070-05-05   

MX2030-03-000-080-05-05 

MX2030-03-000-090-05-05  

MX2030-03-000-130-05-05  

MX2030-04-000-130-05-05   

MX2030-06-005-030-05-05   

10008-00-07-05-02    

電磁閥WSNF8327B012

貝加萊5AP1120.1043-000

調(diào)壓閥 44-1162-24-396 

TESCOM調(diào)壓閥 26-1761-24A/ER-5000SI-1

TESCOMSTS2063HSW

Tescom 44-3262FKBD3V-05    

SICK傳感器WTT12S-C2569

SICK傳感器DT35S-B15551

SICK安全光柵SG2-AAA00011IA0000

EUCHNER鑰匙EKS-A-IEX-G01-ST02/03     

ATOS電磁閥LIQZP-LEB-SN-NP-402L4/Q  

ATOS電磁閥LIQZP-LEB-SN-NP-503L4/A 

Honeywell蝶閥V8BFW16S-100+NOM16H0100   

Honeywell蝶閥V8BFW16S-050+NOM16H0050   

MOOG伺服閥D661-4651G35T0AA6V8X2HA  

SEL漏電保護(hù)裝置085100000010011 

SAMSON定位器4765-01200310000.03  

VEGA物位計PS31.XXXXXGMHB

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